发明授权
专利权授予
半导体功率器件斜坡场板的制作方法
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- 申请号
- CN202110579844.6
- 公开号
- CN113314405A
- 申请人
- 四川上特科技有限公司
- 发明人
- 李健儿；冯艾城；李学良；冯永；胡仲波；唐毅；刘继芝；鲜贵容
- 申请日
- 2021-05-26
- 公开日
- 2021-08-27
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